RTS-8四探針測試儀參數(shù)：
測量范圍
電阻率：10-5～105Ω.cm；
方塊電阻：10-4～106Ω/□；
電阻：10-5～105Ω；
電導率：10-5～105s/cm；
可測晶片直徑：140mmX150mm (配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm (配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm (配S-2C型測試臺)；
恒流源
電流量程分為 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)；
數(shù)字電壓表
量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：＞1000MΩ；
精度：±0.1%；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標
間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻: ≥1000MΩ；
機械游移率: ≤0.3％；
探針：碳化鎢或高速鋼材質(zhì)，探針直徑Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應用參數(shù)
見探頭附帶的合格證，合格證含三參數(shù)項：
C：探針系數(shù)； F：探針間距修正因子； S：探針平均間距；
模擬電阻測量相對誤差（按 JJG508-87 進行）
0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字；
整機測量大相對誤差
(用硅標樣片:0.01-180Ω.cm 測試)≤±5％；
整機測量標準不確定度
≤5％；
外型尺寸（大約）
電氣主機: 460mm×320mm×100mm；
S-2A型測試臺: 190mm×140mm×260mm；
S-2B型測試臺: 300mm×210mm×400mm；
S-2C型測試臺: 500mm×400mm×350mm；
儀器重量（大約）
電氣主機: 3.5kg；
S-2A型測試臺: 2kg；
S-2B型測試臺: 2.5kg；
S-2C型測試臺: 4kg；
標準使用環(huán)境
溫度:：23±2℃；
相對濕度：≤65％；
無高頻干擾；
無強光直射；
*.注意:使用1μA量程時，允許有小于1.0nA的空載電流.在相對濕度小于50%時使用。
